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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

突破12英寸！科友半導體成功制備12英寸碳化硅晶體

Science Advances：南京大學聯(lián)合團隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導體薄膜外延生長

深圳大學寬禁帶半導體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

北理工課題組在低維偏振熱輻射納米光源方面取得新進展

北京大學電子學院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強度研究中取得重要進展

西電郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進展

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

自主突破，九峰山實驗室首發(fā)6英寸InP激光器與探測器外延工藝

我國科學家合成了鉆石里的“六邊形戰(zhàn)士”

清華大學化學系團隊合作開發(fā)出理想的極紫外（EUV）光刻膠材料

中國科學家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

南京大學王欣然教授團隊Nature Materials：實現(xiàn)晶圓級二維半導體堆垛調(diào)控新進展

8N8！中宜創(chuàng)芯碳化硅粉體純度刷新全球行業(yè)記錄

寧波材料所開發(fā)出4英寸超薄、超低翹曲金剛石自支撐薄膜

新突破︱鎵仁半導體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

刷新紀錄！鄭州大學實現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長

稀土卡關(guān)危機！中國限制出口德國車廠恐停工

南京工業(yè)大學先進材料AM：界面誘導生長法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

MaM發(fā)表深圳大學劉新科團隊綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術(shù)

朱鐵軍教授團隊《Science》：半赫斯勒窄帶半導體材料的壓電效應(yīng)

征世科技成功研發(fā)30 mm×55 mm單晶金剛石散熱片

重大突破！吉林大學領(lǐng)銜，高壓人工合成出隕石中的超級鉆石“六方金剛石”

新突破|鎵仁半導體實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜

鎵仁半導體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

金剛石基晶體管，里程碑突破！

量子材料領(lǐng)域十年難題獲破解，理想外爾半金屬首次合成

東南大學團隊在日盲光電探測領(lǐng)域取得新進展

日本國立材料研究所廖梅勇團隊實現(xiàn)金剛石DUV探測器低電壓高增益新突破！

最高記錄！柔性熱電器件，Science！

水凝膠半導體材料問世可作為理想生物電子界面

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