格芯佛蒙特州半導(dǎo)體制造工廠(chǎng)表示，繼續(xù)朝著大規(guī)模生產(chǎn)用于航空航天和國(guó)防、蜂窩通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)的下一代氮化鎵芯片邁進(jìn)。

 

格芯總裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化鎵是新興市場(chǎng)高性能射頻、高壓功率開(kāi)關(guān)和控制應(yīng)用的理想技術(shù)，對(duì)于6G無(wú)線(xiàn)通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動(dòng)汽車(chē)非常重要。”

 

格芯計(jì)劃購(gòu)買(mǎi)更多設(shè)備來(lái)提升開(kāi)發(fā)和原型設(shè)計(jì)能力，向大規(guī)模200mm硅基氮化鎵半導(dǎo)體制造邁進(jìn)。作為投資的一部分，格芯計(jì)劃實(shí)施新的能力，以減少格芯及其客戶(hù)面臨鎵供應(yīng)鏈限制的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)提高氮化鎵芯片的開(kāi)發(fā)速度、供應(yīng)保證和競(jìng)爭(zhēng)力。

 

資料顯示，氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，可以滿(mǎn)足各種應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高效率、低能耗、高性?xún)r(jià)比的要求，因此受到了市場(chǎng)密切關(guān)注。

 

當(dāng)前，氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)不再局限于快充等消費(fèi)電子市場(chǎng)，而是向數(shù)據(jù)中心、可再生能源甚至新能源汽車(chē)市場(chǎng)持續(xù)推進(jìn)。

 

 

 

據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查顯示，到2026年，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。

 

強(qiáng)大的市場(chǎng)需求下，包括格芯、英飛凌、DB Hi-Tech、三安光電、華潤(rùn)微等眾多半導(dǎo)體廠(chǎng)商開(kāi)始擴(kuò)充生產(chǎn)線(xiàn)，布局氮化鎵市場(chǎng)。未來(lái)，氮化鎵成長(zhǎng)空間廣闊。